Transistor NPN BC868, SOT-89, 2A, SOT89, 20V

Transistor NPN BC868, SOT-89, 2A, SOT89, 20V

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Transistor NPN BC868, SOT-89, 2A, SOT89, 20V. Carcaça: SOT-89. Corrente do coletor: 2A. Habitação (conforme ficha técnica): SOT89. Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V. BE diodo: não. Corrente do coletor Ic [A]: 1A, 2A. Custo): 22pF. Diodo CE: não. FT: 170 MHz. Frequência: 60MHz, 170MHz. Função: -. Ganho máximo de hFE: 375. Ganho mínimo de hFE: 85. Ic(pulso): 3A. Marcação na caixa: CAC. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Pd (dissipação de energia, máx.): 1.35W. Polaridade: bipolar. Potência: 950mW. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: serigrafia/código SMD CAC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão (colecionador - emissor): 25V, 20V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 32V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: Nxp Semiconductors. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 20:34

Documentação técnica (PDF)
BC868
29 parâmetros
Carcaça
SOT-89
Corrente do coletor
2A
Habitação (conforme ficha técnica)
SOT89
Tensão do coletor/emissor Vceo
20V
BE diodo
não
Corrente do coletor Ic [A]
1A, 2A
Custo)
22pF
Diodo CE
não
FT
170 MHz
Frequência
60MHz, 170MHz
Ganho máximo de hFE
375
Ganho mínimo de hFE
85
Ic(pulso)
3A
Marcação na caixa
CAC
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Pd (dissipação de energia, máx.)
1.35W
Polaridade
bipolar
Potência
950mW
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
serigrafia/código SMD CAC
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão (colecionador - emissor)
25V, 20V
Tensão máxima de saturação VCE (sat)
0.5V
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
32V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
Nxp Semiconductors

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