Transistor NPN BC868-25-115, 2A, SOT-89, SOT89, 20V

Transistor NPN BC868-25-115, 2A, SOT-89, SOT89, 20V

Quantidade
Preço unitário
1-4
0.34€
5-49
0.29€
50-99
0.25€
100-199
0.23€
200+
0.20€
Equivalência disponível
Quantidade em estoque: 992

Transistor NPN BC868-25-115, 2A, SOT-89, SOT89, 20V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: SOT-89. Habitação (conforme ficha técnica): SOT89. Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V. BE diodo: não. Custo): 22pF. Diodo CE: não. FT: 170 MHz. Função: -. Ganho máximo de hFE: 375. Ganho mínimo de hFE: 160. Ic(pulso): 3A. Marcação na caixa: CDC. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Pd (dissipação de energia, máx.): 1.35W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: serigrafia/código SMD CDC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 32V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: Nxp Semiconductors. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 20:34

Documentação técnica (PDF)
BC868-25-115
24 parâmetros
Corrente do coletor
2A
Carcaça
SOT-89
Habitação (conforme ficha técnica)
SOT89
Tensão do coletor/emissor Vceo
20V
BE diodo
não
Custo)
22pF
Diodo CE
não
FT
170 MHz
Ganho máximo de hFE
375
Ganho mínimo de hFE
160
Ic(pulso)
3A
Marcação na caixa
CDC
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Pd (dissipação de energia, máx.)
1.35W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
serigrafia/código SMD CDC
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão máxima de saturação VCE (sat)
0.5V
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
32V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
Nxp Semiconductors

Produtos e/ou acessórios equivalentes para BC868-25-115