Transistor NPN BC859C-4C, SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA

Transistor NPN BC859C-4C, SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA

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Mín.: 10

Transistor NPN BC859C-4C, SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA. Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30 v. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Família de componentes: Transistor PNP. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Marcação do fabricante: 4C. Número de terminais: 3. RoHS: não. Temperatura máxima: +150°C. Produto original do fabricante: Onsemi. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 16:48

BC859C-4C
14 parâmetros
Carcaça
SOT-23
Carcaça (padrão JEDEC)
TO-236
Tensão coletor-emissor Uceo [V]
30 v
Corrente do coletor Ic [A], máx.
100mA
Configuração
componente montado em superfície (SMD)
Dissipação máxima Ptot [W]
0.225W
Família de componentes
Transistor PNP
Frequência de corte ft [MHz]
100 MHz
Marcação do fabricante
4C
Número de terminais
3
RoHS
não
Temperatura máxima
+150°C
Produto original do fabricante
Onsemi
Quantidade mínima
10