Transistor NPN BC859C, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. FT: 100 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 420. Ic(pulso): 200mA. Marcação na caixa: 3 G. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: serigrafia/código SMD 3G/4C. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: Diodes Inc. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 20:34