Transistor NPN BC857B, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236, -45V, 45V, 100mA, 100mA, SOT-23 ( TO236 ), 50V. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Tensão coletor-emissor VCEO: -45V. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Corrente do coletor: 100mA. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: não. Colecionador DC/ganho de base hfe min.: 220. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Corrente do coletor Ic [A]: 100mA. Diodo CE: não. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. FT: 150 MHz. Família de componentes: Transistor PNP. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Função: uso geral. Ganhe hfe: 290. Ic(pulso): 200mA. Informação: -. Largura de banda MHz: 100MHz. Marcação do fabricante: 3F. Marcação na caixa: 3F. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.33W. Polaridade: bipolar. Potência: 0.25W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: SMD KO0 3F. Série: BC. Temperatura máxima: +150°C.. Tensão (colecionador - emissor): 50V, 45V. Tipo de montagem: SMD. Tipo de transistor: PNP. Tipo: transistor para aplicações de baixa potência. VCBO de tensão-base do coletor: -50V. Vcbo: 50V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 20:34