Transistor NPN BC857A, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V

Transistor NPN BC857A, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V

Quantidade
Preço unitário
10-49
0.0420€
50-99
0.0375€
100+
0.0329€
Quantidade em estoque: 45
Mín.: 10

Transistor NPN BC857A, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. FT: 100 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 125. Ic(pulso): 200mA. Marcação na caixa: 3E. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: SMD 3E. Temperatura operacional: °C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.075V. Tipo de transistor: PNP. Transistor Darlington?: não. Vcbo: 50V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: Nxp Semiconductors. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 20:34

Documentação técnica (PDF)
BC857A
25 parâmetros
Corrente do coletor
100mA
Carcaça
SOT-23 ( TO-236 )
Habitação (conforme ficha técnica)
SOT-23 ( TO236 )
Tensão do coletor/emissor Vceo
45V
FT
100 MHz
Função
uso geral
Ganho máximo de hFE
250
Ganho mínimo de hFE
125
Ic(pulso)
200mA
Marcação na caixa
3E
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
0.25W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
SMD 3E
Temperatura operacional
°C
Tensão de saturação VCE(sat)
0.075V
Tipo de transistor
PNP
Transistor Darlington?
não
Vcbo
50V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
Nxp Semiconductors
Quantidade mínima
10