Transistor NPN BC856B, SOT-23 ( TO-236 ), 65V, 100mA, SOT-23 ( TO236 ), 65V
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Transistor NPN BC856B, SOT-23 ( TO-236 ), 65V, 100mA, SOT-23 ( TO236 ), 65V. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Tensão coletor-emissor VCEO: 65V. Corrente do coletor: 100mA. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 65V. BE diodo: não. Colecionador DC/ganho de base hfe min.: 220. Corrente do coletor Ic [A]: 100mA. Custo): 4.5pF. Diodo CE: não. Equivalentes: ON Semiconductor BC856BLT1G. FT: 100 MHz. Ganhe hfe: 290. Ganho máximo de hFE: 475. Ganho mínimo de hFE: 220. Ic(pulso): 200mA. Informação: -. Largura de banda MHz: 100MHz. Marcação na caixa: 3B. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. Polaridade: bipolar. Potência: 0.25W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: serigrafia/código SMD 3B. Série: BC. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão (colecionador - emissor): 80V, 65V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.065V. Tipo de montagem: SMD. Tipo de transistor: PNP. Tipo: transistor para aplicações de baixa potência. VCBO de tensão-base do coletor: 80V. Vcbo: 80V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: Nexperia. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 20:34