Transistor NPN BC856B, SOT-23 ( TO-236 ), 65V, 100mA, SOT-23 ( TO236 ), 65V

Transistor NPN BC856B, SOT-23 ( TO-236 ), 65V, 100mA, SOT-23 ( TO236 ), 65V

Quantidade
Preço unitário
10-24
0.0493€
25-99
0.0340€
100-499
0.0300€
500-999
0.0260€
1000+
0.0200€
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Mín.: 10

Transistor NPN BC856B, SOT-23 ( TO-236 ), 65V, 100mA, SOT-23 ( TO236 ), 65V. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Tensão coletor-emissor VCEO: 65V. Corrente do coletor: 100mA. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 65V. BE diodo: não. Colecionador DC/ganho de base hfe min.: 220. Corrente do coletor Ic [A]: 100mA. Custo): 4.5pF. Diodo CE: não. Equivalentes: ON Semiconductor BC856BLT1G. FT: 100 MHz. Ganhe hfe: 290. Ganho máximo de hFE: 475. Ganho mínimo de hFE: 220. Ic(pulso): 200mA. Informação: -. Largura de banda MHz: 100MHz. Marcação na caixa: 3B. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. Polaridade: bipolar. Potência: 0.25W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: serigrafia/código SMD 3B. Série: BC. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão (colecionador - emissor): 80V, 65V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.065V. Tipo de montagem: SMD. Tipo de transistor: PNP. Tipo: transistor para aplicações de baixa potência. VCBO de tensão-base do coletor: 80V. Vcbo: 80V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: Nexperia. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 20:34

Documentação técnica (PDF)
BC856B
39 parâmetros
Carcaça
SOT-23 ( TO-236 )
Tensão coletor-emissor VCEO
65V
Corrente do coletor
100mA
Habitação (conforme ficha técnica)
SOT-23 ( TO236 )
Tensão do coletor/emissor Vceo
65V
BE diodo
não
Colecionador DC/ganho de base hfe min.
220
Corrente do coletor Ic [A]
100mA
Custo)
4.5pF
Diodo CE
não
Equivalentes
ON Semiconductor BC856BLT1G
FT
100 MHz
Ganhe hfe
290
Ganho máximo de hFE
475
Ganho mínimo de hFE
220
Ic(pulso)
200mA
Largura de banda MHz
100MHz
Marcação na caixa
3B
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
300mW
Polaridade
bipolar
Potência
0.25W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
serigrafia/código SMD 3B
Série
BC
Temperatura operacional
-65...+150°C
Tensão (colecionador - emissor)
80V, 65V
Tensão de saturação VCE(sat)
0.065V
Tipo de montagem
SMD
Tipo de transistor
PNP
Tipo
transistor para aplicações de baixa potência
VCBO de tensão-base do coletor
80V
Vcbo
80V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
Nexperia
Quantidade mínima
10