Transistor NPN BC856A, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V

Transistor NPN BC856A, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V

Quantidade
Preço unitário
10-24
0.0486€
25-99
0.0335€
100-499
0.0280€
500+
0.0234€
Quantidade em estoque: 376
Mín.: 10

Transistor NPN BC856A, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 65V. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 125. Ic(pulso): 200mA. Marcação na caixa: 3A. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: serigrafia/código SMD 3A. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.075V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: Philips Semiconductors. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 20:34

Documentação técnica (PDF)
BC856A
23 parâmetros
Corrente do coletor
100mA
Carcaça
SOT-23 ( TO-236 )
Habitação (conforme ficha técnica)
SOT-23 ( TO236 )
Tensão do coletor/emissor Vceo
65V
FT
100 MHz
Ganho máximo de hFE
250
Ganho mínimo de hFE
125
Ic(pulso)
200mA
Marcação na caixa
3A
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
0.25W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
serigrafia/código SMD 3A
Temperatura operacional
-65...+150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
0.075V
Tipo de transistor
PNP
Vcbo
80V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
Philips Semiconductors
Quantidade mínima
10