Transistor NPN BC847C, SOT-23 ( TO-236 ), 0.1A, SOT-23, 45V

Transistor NPN BC847C, SOT-23 ( TO-236 ), 0.1A, SOT-23, 45V

Quantidade
Preço unitário
10-24
0.0469€
25-99
0.0351€
100-249
0.0303€
250-499
0.0277€
500+
0.0218€
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Mín.: 10

Transistor NPN BC847C, SOT-23 ( TO-236 ), 0.1A, SOT-23, 45V. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Corrente do coletor: 0.1A. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. BE diodo: não. Corrente do coletor Ic [A]: 100mA. Custo): 4.5pF. Diodo CE: não. FT: 100 MHz. Frequência: 100MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 250. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Pd (dissipação de energia, máx.): 0.225W. Polaridade: bipolar. Potência: 200mW. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: serigrafia/código SMD 1G. Tensão (colecionador - emissor): 45V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.6V. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 6V. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 20:34

Documentação técnica (PDF)
BC847C
29 parâmetros
Carcaça
SOT-23 ( TO-236 )
Corrente do coletor
0.1A
Habitação (conforme ficha técnica)
SOT-23
Tensão do coletor/emissor Vceo
45V
BE diodo
não
Corrente do coletor Ic [A]
100mA
Custo)
4.5pF
Diodo CE
não
FT
100 MHz
Frequência
100MHz
Função
uso geral
Ganho máximo de hFE
800
Ganho mínimo de hFE
250
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Pd (dissipação de energia, máx.)
0.225W
Polaridade
bipolar
Potência
200mW
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
serigrafia/código SMD 1G
Tensão (colecionador - emissor)
45V
Tensão de saturação VCE(sat)
0.25V
Tensão máxima de saturação VCE (sat)
0.6V
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
50V
Vebo
6V
Produto original do fabricante
ON Semiconductor
Quantidade mínima
10