Transistor NPN BC640-16, TO-92, 1A, TO-92, 80V

Transistor NPN BC640-16, TO-92, 1A, TO-92, 80V

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Transistor NPN BC640-16, TO-92, 1A, TO-92, 80V. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor: 1A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. BE diodo: não. C (pol.): 110pF. Condicionamento: Ammo Pack. Corrente do coletor Ic [A]: 1A. Custo): 9pF. Diodo CE: não. FT: 150 MHz. Frequência: 150MHz. Ganhe hfe: 100...250. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 100. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Pd (dissipação de energia, máx.): 800mW. Polaridade: bipolar. Potência: 0.8/2.75W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BC639-16. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão (colecionador - emissor): 80V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tipo de transistor: PNP. Transistor Darlington?: não. Vcbo: 80V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: Cdil. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 20:34

BC640-16
31 parâmetros
Carcaça
TO-92
Corrente do coletor
1A
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-92
Tensão do coletor/emissor Vceo
80V
BE diodo
não
C (pol.)
110pF
Condicionamento
Ammo Pack
Corrente do coletor Ic [A]
1A
Custo)
9pF
Diodo CE
não
FT
150 MHz
Frequência
150MHz
Ganhe hfe
100...250
Ganho máximo de hFE
250
Ganho mínimo de hFE
100
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Pd (dissipação de energia, máx.)
800mW
Polaridade
bipolar
Potência
0.8/2.75W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
transistor complementar (par) BC639-16
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão (colecionador - emissor)
80V
Tensão máxima de saturação VCE (sat)
0.5V
Tipo de transistor
PNP
Transistor Darlington?
não
Vcbo
80V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
Cdil