Transistor NPN BC639, TO-92, 1A, 1A, TO-92, 80V. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. Corrente do coletor: 1A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. BE diodo: não. C (pol.): 50pF. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente do coletor Ic [A]: 1A. Custo): 7pF. Diodo CE: não. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. FT: 130 MHz. Família de componentes: transistor NPN. Frequência de corte ft [MHz]: 200 MHz. Frequência: 200MHz. Ganhe hfe: 40...250. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 40. Marcação do fabricante: BC639. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Polaridade: bipolar. Potência: 0.8/2.75W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BC640. Temperatura máxima: +150°C.. Tensão (colecionador - emissor): 80V. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Produto original do fabricante: Lge Technology. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 20:34