Transistor NPN BC558B, TO-92, 100mA, TO-92, 30 v

Transistor NPN BC558B, TO-92, 100mA, TO-92, 30 v

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50-99
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Mín.: 10

Transistor NPN BC558B, TO-92, 100mA, TO-92, 30 v. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor: 100mA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. BE diodo: não. Condicionamento: Ammo Pack. Corrente do coletor Ic [A]: 100mA. Diodo CE: não. Embalagem: Ammo Pack. FT: 150 MHz. Frequência: 150MHz. Função: Comutação e amplificador AF. Ganho máximo de hFE: 450. Ganho mínimo de hFE: 200. Ic(pulso): 200mA. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Polaridade: bipolar. Potência: 0.5W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão (colecionador - emissor): 30V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.08V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: Lge Technology. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 20:34

Documentação técnica (PDF)
BC558B
32 parâmetros
Carcaça
TO-92
Corrente do coletor
100mA
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-92
Tensão do coletor/emissor Vceo
30 v
BE diodo
não
Condicionamento
Ammo Pack
Corrente do coletor Ic [A]
100mA
Diodo CE
não
Embalagem
Ammo Pack
FT
150 MHz
Frequência
150MHz
Função
Comutação e amplificador AF
Ganho máximo de hFE
450
Ganho mínimo de hFE
200
Ic(pulso)
200mA
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
0.5W
Polaridade
bipolar
Potência
0.5W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Tecnologia
Transistor Planar Epitaxial
Temperatura operacional
-65...+150°C
Tensão (colecionador - emissor)
30V
Tensão de saturação VCE(sat)
0.08V
Tipo de transistor
PNP
Vcbo
30 v
Vebo
5V
Produto original do fabricante
Lge Technology
Quantidade mínima
10

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