Transistor NPN BC556B, TO-92, TO-226, -65V, 65V, 100mA, 100mA, TO-92, 80V
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Transistor NPN BC556B, TO-92, TO-226, -65V, 65V, 100mA, 100mA, TO-92, 80V. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226. Tensão coletor-emissor VCEO: -65V. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 65V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Corrente do coletor: 100mA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. BE diodo: não. C (pol.): 9pF. Colecionador DC/ganho de base hfe min.: 200. Condicionamento: -. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente do coletor Ic [A]: 100mA. Custo): 6pF. Diodo CE: não. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. Embalagem: -. FT: 100 MHz. Família de componentes: Transistor PNP. Frequência de corte ft [MHz]: 150 MHz. Ganhe hfe: 200. Ganho máximo de hFE: 450. Ganho mínimo de hFE: 200. Ic(pulso): 200mA. Informação: -. Largura de banda MHz: 100MHz. MSL: -. Marcação do fabricante: BC556B. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Polaridade: bipolar. Potência: 0.5W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BC546B. Série: BC. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão (colecionador - emissor): 65V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tipo de montagem: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Tipo: transistor para aplicações de baixa potência. VCBO de tensão-base do coletor: -80V. Vcbo: 80V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: Cdil. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 20:34