Transistor NPN BC550CG, TO-92, 100mA, 0.1A, TO-92 3L (Ammo Pack), 45V

Transistor NPN BC550CG, TO-92, 100mA, 0.1A, TO-92 3L (Ammo Pack), 45V

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Preço unitário
10-49
0.0986€
50-99
0.0862€
100-499
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Mín.: 10

Transistor NPN BC550CG, TO-92, 100mA, 0.1A, TO-92 3L (Ammo Pack), 45V. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Corrente do coletor: 0.1A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 3L (Ammo Pack). Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. BE diodo: não. C (pol.): 9pF. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Custo): 3.5pF. Diodo CE: não. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Equivalentes: BC550CG, BC550CBU. FT: 250 MHz. Família de componentes: transistor NPN. Frequência de corte ft [MHz]: 250 MHz. Função: hFE 420...800 (IC=2mAdc, VCE=5Vdc). Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 420. Marcação do fabricante: BC550C. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BC560C. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 20:34

Documentação técnica (PDF)
BC550CG
37 parâmetros
Carcaça
TO-92
Corrente do coletor Ic [A], máx.
100mA
Corrente do coletor
0.1A
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-92 3L (Ammo Pack)
Tensão do coletor/emissor Vceo
45V
BE diodo
não
C (pol.)
9pF
Carcaça (padrão JEDEC)
TO-226AA
Configuração
montagem através de furo PCB
Custo)
3.5pF
Diodo CE
não
Dissipação máxima Ptot [W]
0.625W
Equivalentes
BC550CG, BC550CBU
FT
250 MHz
Família de componentes
transistor NPN
Frequência de corte ft [MHz]
250 MHz
Função
hFE 420...800 (IC=2mAdc, VCE=5Vdc)
Ganho máximo de hFE
800
Ganho mínimo de hFE
420
Marcação do fabricante
BC550C
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
0.625W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
transistor complementar (par) BC560C
Temperatura máxima
+150°C.
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão coletor-emissor Uceo [V]
45V
Tensão de saturação VCE(sat)
0.3V
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
50V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
ON Semiconductor
Quantidade mínima
10

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