Transistor NPN BC550C, TO-92, 0.1A, TO-92, 45V

Transistor NPN BC550C, TO-92, 0.1A, TO-92, 45V

Quantidade
Preço unitário
10-49
0.0640€
50-99
0.0563€
100-499
0.0500€
500+
0.0410€
Equivalência disponível
Quantidade em estoque: 399
Mín.: 10

Transistor NPN BC550C, TO-92, 0.1A, TO-92, 45V. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor: 0.1A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. BE diodo: não. Corrente do coletor Ic [A]: 100mA. Diodo CE: não. FT: 250 MHz. Frequência: 300MHz. Função: hFE 420...800 (IC=2mAdc, VCE=5Vdc). Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 420. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Polaridade: bipolar. Potência: 0.5W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BC560C. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão (colecionador - emissor): 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: Lge Technology. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 20:34

Documentação técnica (PDF)
BC550C
29 parâmetros
Carcaça
TO-92
Corrente do coletor
0.1A
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-92
Tensão do coletor/emissor Vceo
45V
BE diodo
não
Corrente do coletor Ic [A]
100mA
Diodo CE
não
FT
250 MHz
Frequência
300MHz
Função
hFE 420...800 (IC=2mAdc, VCE=5Vdc)
Ganho máximo de hFE
800
Ganho mínimo de hFE
420
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
0.625W
Polaridade
bipolar
Potência
0.5W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
transistor complementar (par) BC560C
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão (colecionador - emissor)
50V
Tensão de saturação VCE(sat)
0.3V
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
50V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
Lge Technology
Quantidade mínima
10

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