Transistor NPN BC546C, 100mA, TO-92, TO-92, 65V

Transistor NPN BC546C, 100mA, TO-92, TO-92, 65V

Quantidade
Preço unitário
10-99
0.0518€
100-199
0.0453€
200-499
0.0401€
500+
0.0335€
Equivalência disponível
Quantidade em estoque: 237
Mín.: 10

Transistor NPN BC546C, 100mA, TO-92, TO-92, 65V. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 65V. BE diodo: não. Custo): 6pF. Diodo CE: não. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 420. Ic(pulso): 200mA. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Tecnologia: Transistor Epitaxial Planar. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Vebo: 6V. Produto original do fabricante: Lge Technology. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 20:34

Documentação técnica (PDF)
BC546C
25 parâmetros
Corrente do coletor
100mA
Carcaça
TO-92
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-92
Tensão do coletor/emissor Vceo
65V
BE diodo
não
Custo)
6pF
Diodo CE
não
FT
150 MHz
Ganho máximo de hFE
800
Ganho mínimo de hFE
420
Ic(pulso)
200mA
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
0.625W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Tecnologia
Transistor Epitaxial Planar
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
0.25V
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
80V
Vebo
6V
Produto original do fabricante
Lge Technology
Quantidade mínima
10

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