Transistor NPN BC546B, TO-92, 65V, 100mA, 0.1A, TO-92, 65V

Transistor NPN BC546B, TO-92, 65V, 100mA, 0.1A, TO-92, 65V

Quantidade
Preço unitário
10-99
0.0465€
100-199
0.0403€
200-499
0.0355€
500+
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Transistor NPN BC546B, TO-92, 65V, 100mA, 0.1A, TO-92, 65V. Carcaça: TO-92. Tensão coletor-emissor VCEO: 65V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Corrente do coletor: 0.1A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 65V. BE diodo: não. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226. Colecionador DC/ganho de base hfe min.: 200. Condicionamento: -. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente do coletor Ic [A]: 100mA, 0.1A. Corrente máxima 1: 0.1A. Custo): 6pF. Diodo CE: não. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. Embalagem: -. FT: 100 MHz. Família de componentes: transistor NPN. Frequência de corte ft [MHz]: 300 MHz. Frequência: 300MHz. Ganho máximo de hFE: 450. Ganho mínimo de hFE: 200. Ic(pulso): 0.2A. Informação: -. Largura de banda MHz: 300MHz. MSL: -. Marcação do fabricante: BC546B. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Polaridade: bipolar. Potência: 0.5W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BC556B. Série: BC. Tecnologia: Transistor Epitaxial Planar. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura: +150°C. Tensão (colecionador - emissor): 65V. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 65V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.09V. Tipo de montagem: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Tipo: transistor para aplicações de baixa potência. VCBO de tensão-base do coletor: 80V. Vcbo: 80V. Vebo: 6V. Produto original do fabricante: Cdil. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 20:34

Documentação técnica (PDF)
BC546B
49 parâmetros
Carcaça
TO-92
Tensão coletor-emissor VCEO
65V
Corrente do coletor Ic [A], máx.
100mA
Corrente do coletor
0.1A
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-92
Tensão do coletor/emissor Vceo
65V
BE diodo
não
Carcaça (padrão JEDEC)
TO-226
Colecionador DC/ganho de base hfe min.
200
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente do coletor Ic [A]
100mA, 0.1A
Corrente máxima 1
0.1A
Custo)
6pF
Diodo CE
não
Dissipação máxima Ptot [W]
0.5W
FT
100 MHz
Família de componentes
transistor NPN
Frequência de corte ft [MHz]
300 MHz
Frequência
300MHz
Ganho máximo de hFE
450
Ganho mínimo de hFE
200
Ic(pulso)
0.2A
Largura de banda MHz
300MHz
Marcação do fabricante
BC546B
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
0.5W
Polaridade
bipolar
Potência
0.5W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
transistor complementar (par) BC556B
Série
BC
Tecnologia
Transistor Epitaxial Planar
Temperatura máxima
+150°C.
Temperatura
+150°C
Tensão (colecionador - emissor)
65V
Tensão coletor-emissor Uceo [V]
65V
Tensão de saturação VCE(sat)
0.09V
Tipo de montagem
montagem através de furo PCB
Tipo de transistor
NPN
Tipo
transistor para aplicações de baixa potência
VCBO de tensão-base do coletor
80V
Vcbo
80V
Vebo
6V
Produto original do fabricante
Cdil
Quantidade mínima
10