Transistor NPN BC517_D74Z, 30V, 1.2A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v

Transistor NPN BC517_D74Z, 30V, 1.2A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v

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Transistor NPN BC517_D74Z, 30V, 1.2A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v. Tensão coletor-emissor VCEO: 30V. Corrente do coletor: 1.2A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. BE diodo: não. Diodo CE: não. FT: 200MHz. Ganho mínimo de hFE: 30000. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Polaridade: NPN. Potência: 0.625W. Quantidade por caixa: 2. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BC516. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tipo de transistor: NPN. Tipo: Transistor Darlington. Transistor Darlington?: sim. Vcbo: 40V. Vebo: 10V. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 20:34

BC517_D74Z
26 parâmetros
Tensão coletor-emissor VCEO
30V
Corrente do coletor
1.2A
Carcaça
TO-92
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-92 ( Ammo Pack )
Tensão do coletor/emissor Vceo
30 v
BE diodo
não
Diodo CE
não
FT
200MHz
Ganho mínimo de hFE
30000
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
0.625W
Polaridade
NPN
Potência
0.625W
Quantidade por caixa
2
RoHS
sim
Spec info
transistor complementar (par) BC516
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão máxima de saturação VCE (sat)
1V
Tipo de transistor
NPN
Tipo
Transistor Darlington
Transistor Darlington?
sim
Vcbo
40V
Vebo
10V
Produto original do fabricante
ON Semiconductor

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