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Transistor NPN, 1.2A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v, 30V - BC517_D74Z

Transistor NPN, 1.2A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v, 30V - BC517_D74Z
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Transistor NPN, 1.2A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v, 30V - BC517_D74Z. Transistor NPN, 1.2A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v, 30V. Corrente do coletor: 1.2A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Tensão coletor-emissor VCEO: 30V. Material semicondutor: silício. FT: 200MHz. Ganho mínimo de hFE: 30000. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BC516. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Vebo: 10V. Tipo de transistor: transistor NPN . Polaridade: NPN. Tipo: Transistor Darlington. Potência: 0.625W. Produto original do fabricante ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 11/06/2025, 08:25.

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Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 30 v. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 2. Material semicondutor: silício. FT: 200MHz. Ganho mínimo de hFE: 30000. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BC516. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Vebo: 10V
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