Transistor NPN BC337-25, TO-92, 0.8A, TO-92, 45V

Transistor NPN BC337-25, TO-92, 0.8A, TO-92, 45V

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Transistor NPN BC337-25, TO-92, 0.8A, TO-92, 45V. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor: 0.8A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. BE diodo: não. Condicionamento: Ammo Pack. Corrente do coletor Ic [A]: 800mA. Custo): 15pF. Diodo CE: não. Embalagem: Ammo Pack. FT: 210 MHz. Ganhe hfe: 250. Ganho máximo de hFE: 630. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 1A. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Polaridade: bipolar. Potência: 0.625W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BC327-25. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão (colecionador - emissor): 45V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: Lge Technology. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 20:34

Documentação técnica (PDF)
BC337-25
33 parâmetros
Carcaça
TO-92
Corrente do coletor
0.8A
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-92
Tensão do coletor/emissor Vceo
45V
BE diodo
não
Condicionamento
Ammo Pack
Corrente do coletor Ic [A]
800mA
Custo)
15pF
Diodo CE
não
Embalagem
Ammo Pack
FT
210 MHz
Ganhe hfe
250
Ganho máximo de hFE
630
Ganho mínimo de hFE
100
Ic(pulso)
1A
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
0.625W
Polaridade
bipolar
Potência
0.625W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
transistor complementar (par) BC327-25
Tecnologia
Transistor Planar Epitaxial
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão (colecionador - emissor)
45V
Tensão de saturação VCE(sat)
0.7V
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
50V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
Lge Technology
Quantidade mínima
10