Transistor NPN BC303, -60V, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V

Transistor NPN BC303, -60V, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V

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Transistor NPN BC303, -60V, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Tensão coletor-emissor VCEO: -60V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-39. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: não. Diodo CE: não. FT: 0.65 MHz. Frequência máxima: 75MHz. Ganho máximo de hFE: 120. Ganho mínimo de hFE: 40. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.85W. Polaridade: PNP. Potência: 0.85W. Quantidade por caixa: 1. Tecnologia: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Temperatura: +175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.65V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 85V. Vebo: 7V. Produto original do fabricante: Cdil. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 08:56

Documentação técnica (PDF)
BC303
25 parâmetros
Tensão coletor-emissor VCEO
-60V
Corrente do coletor
0.5A
Carcaça
TO-39 ( TO-205 )
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-39
Tensão do coletor/emissor Vceo
60V
BE diodo
não
Diodo CE
não
FT
0.65 MHz
Frequência máxima
75MHz
Ganho máximo de hFE
120
Ganho mínimo de hFE
40
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
0.85W
Polaridade
PNP
Potência
0.85W
Quantidade por caixa
1
Tecnologia
EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR
Temperatura
+175°C
Tensão de saturação VCE(sat)
0.65V
Tipo de transistor
PNP
Vcbo
85V
Vebo
7V
Produto original do fabricante
Cdil

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