Transistor NPN BC212B, -50V, 100mA, TO-92, TO-92, 50V

Transistor NPN BC212B, -50V, 100mA, TO-92, TO-92, 50V

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10-49
0.0823€
50-99
0.0708€
100-199
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Mín.: 10

Transistor NPN BC212B, -50V, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Tensão coletor-emissor VCEO: -50V. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: não. Diodo CE: não. FT: 280 MHz. Frequência máxima: 280MHz. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 200. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 350mW. Polaridade: PNP. Potência: 1W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.1V. Tipo de transistor: PNP. Transistor Darlington?: não. Vcbo: 60V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: Cdil. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 08:56

Documentação técnica (PDF)
BC212B
28 parâmetros
Tensão coletor-emissor VCEO
-50V
Corrente do coletor
100mA
Carcaça
TO-92
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-92
Tensão do coletor/emissor Vceo
50V
BE diodo
não
Diodo CE
não
FT
280 MHz
Frequência máxima
280MHz
Ganho máximo de hFE
400
Ganho mínimo de hFE
200
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
350mW
Polaridade
PNP
Potência
1W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Tecnologia
Transistor Planar Epitaxial
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
0.1V
Tipo de transistor
PNP
Transistor Darlington?
não
Vcbo
60V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
Cdil
Quantidade mínima
10

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