Transistor NPN 2SD718, 8A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 120V

Transistor NPN 2SD718, 8A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 120V

Quantidade
Preço unitário
1-4
3.38€
5-9
3.04€
10-24
2.79€
25-49
2.61€
50+
2.32€
Quantidade em estoque: 75

Transistor NPN 2SD718, 8A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 120V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. BE diodo: não. Diodo CE: não. FT: 12 MHz. Função: amplificador de potência de áudio. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 55. Ic(pulso): 10A. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2SB688. Temperatura: +150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: Korea Electronics Semi. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:24

2SD718
24 parâmetros
Corrente do coletor
8A
Carcaça
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-3P
Tensão do coletor/emissor Vceo
120V
BE diodo
não
Diodo CE
não
FT
12 MHz
Função
amplificador de potência de áudio
Ganho máximo de hFE
160
Ganho mínimo de hFE
55
Ic(pulso)
10A
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
80W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
transistor complementar (par) 2SB688
Temperatura
+150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
2V
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
120V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
Korea Electronics Semi.