Transistor NPN 2SD667, 1A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 80V

Transistor NPN 2SD667, 1A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 80V

Quantidade
Preço unitário
1-4
1.02€
5-24
0.86€
25-49
0.75€
50-99
0.65€
100+
0.53€
Quantidade em estoque: 72

Transistor NPN 2SD667, 1A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 80V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. FT: 140 MHz. Função: Amplificador de potência de baixa frequência. Ganho máximo de hFE: 120. Ganho mínimo de hFE: 60. Ic(pulso): 2A. Marcação na caixa: D667. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Nota: 9mm. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2SB647. Tecnologia: Silicon NPN Epitaxial. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: Hitachi. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:24

Documentação técnica (PDF)
2SD667
24 parâmetros
Corrente do coletor
1A
Carcaça
TO-92
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-92MOD ( 2-5J1A )
Tensão do coletor/emissor Vceo
80V
FT
140 MHz
Função
Amplificador de potência de baixa frequência
Ganho máximo de hFE
120
Ganho mínimo de hFE
60
Ic(pulso)
2A
Marcação na caixa
D667
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Nota
9mm
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
0.9W
Quantidade por caixa
1
Spec info
transistor complementar (par) 2SB647
Tecnologia
Silicon NPN Epitaxial
Temperatura operacional
-50...+150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
1V
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
120V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
Hitachi