Transistor NPN 2SD600K, TO-126 (TO-225, SOT-32), 1A, TO-126, 120V

Transistor NPN 2SD600K, TO-126 (TO-225, SOT-32), 1A, TO-126, 120V

Quantidade
Preço unitário
1-4
4.49€
5-24
4.26€
25-49
4.05€
50+
3.81€
Quantidade em estoque: 8

Transistor NPN 2SD600K, TO-126 (TO-225, SOT-32), 1A, TO-126, 120V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente do coletor: 1A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Corrente do coletor Ic [A]: 1A. FT: 130 MHz. Frequência: 130MHz. Função: Amplificador de potência de baixa frequência. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 20. Ic(pulso): 2A. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 8W. Polaridade: bipolar. Potência: 8W. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2SB631K. Temperatura: +150°C. Tensão (colecionador - emissor): 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.15V. Tf(min): 100 ns. Tf(máx.): 100 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: Sanyo. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:24

Documentação técnica (PDF)
2SD600K
28 parâmetros
Carcaça
TO-126 (TO-225, SOT-32)
Corrente do coletor
1A
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-126
Tensão do coletor/emissor Vceo
120V
Corrente do coletor Ic [A]
1A
FT
130 MHz
Frequência
130MHz
Função
Amplificador de potência de baixa frequência
Ganho máximo de hFE
320
Ganho mínimo de hFE
20
Ic(pulso)
2A
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
8W
Polaridade
bipolar
Potência
8W
Quantidade por caixa
1
Spec info
transistor complementar (par) 2SB631K
Temperatura
+150°C
Tensão (colecionador - emissor)
120V
Tensão de saturação VCE(sat)
0.15V
Tf(min)
100 ns
Tf(máx.)
100 ns
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
120V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
Sanyo