Transistor NPN 2SD2499, 6A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V

Transistor NPN 2SD2499, 6A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V

Quantidade
Preço unitário
1-4
3.31€
5-9
3.04€
10-24
2.84€
25-49
2.67€
50+
2.38€
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Transistor NPN 2SD2499, 6A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Corrente do coletor: 6A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): 2-16E3A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. BE diodo: não. Custo): 95pF. Diodo CE: sim. FT: 2 MHz. Função: CTV-HA. Ganho máximo de hFE: 25. Ganho mínimo de hFE: 5. Ic(pulso): 12A. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Quantidade por caixa: 1. Resistor BE: 40 Ohms. Tecnologia: Tipo MESA Tripla Difusão. Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Tf(min): 0.3us. Tf(máx.): 0.6us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 07:46

Documentação técnica (PDF)
2SD2499
27 parâmetros
Corrente do coletor
6A
Carcaça
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Habitação (conforme ficha técnica)
2-16E3A
Tensão do coletor/emissor Vceo
600V
BE diodo
não
Custo)
95pF
Diodo CE
sim
FT
2 MHz
Função
CTV-HA
Ganho máximo de hFE
25
Ganho mínimo de hFE
5
Ic(pulso)
12A
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
50W
Quantidade por caixa
1
Resistor BE
40 Ohms
Tecnologia
Tipo MESA Tripla Difusão
Temperatura operacional
-...+150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
5V
Tf(min)
0.3us
Tf(máx.)
0.6us
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
1500V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
Toshiba

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