Transistor NPN 2SD1664Q, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 32V

Transistor NPN 2SD1664Q, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 32V

Quantidade
Preço unitário
1-4
0.44€
5-9
0.34€
10-24
0.28€
25+
0.25€
Quantidade em estoque: 850

Transistor NPN 2SD1664Q, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 32V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89. Tensão do coletor/emissor Vceo: 32V. Condicionamento: rolo. FT: 150 MHz. Função: transistor bipolar. Ganho máximo de hFE: 270. Ganho mínimo de hFE: 120. Ic(pulso): 2A. Marcação na caixa: DAQ. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: serigrafia/código SMD DAQ. Tecnologia: Tipo plano epitaxial. Temperatura operacional: +55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.15V. Tipo de transistor: NPN. Unidade de condicionamento: 1000. Vcbo: 40V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: ROHM. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 07:46

Documentação técnica (PDF)
2SD1664Q
26 parâmetros
Corrente do coletor
1A
Carcaça
SOT-89 4-Pin ( 3+Tab )
Habitação (conforme ficha técnica)
SOT-89
Tensão do coletor/emissor Vceo
32V
Condicionamento
rolo
FT
150 MHz
Função
transistor bipolar
Ganho máximo de hFE
270
Ganho mínimo de hFE
120
Ic(pulso)
2A
Marcação na caixa
DAQ
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
0.5W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
serigrafia/código SMD DAQ
Tecnologia
Tipo plano epitaxial
Temperatura operacional
+55...+150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
0.15V
Tipo de transistor
NPN
Unidade de condicionamento
1000
Vcbo
40V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
ROHM