Transistor NPN 2SD1624S, 3A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V

Transistor NPN 2SD1624S, 3A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V

Quantidade
Preço unitário
1-4
0.93€
5-24
0.74€
25-49
0.66€
50+
0.58€
Quantidade em estoque: 56

Transistor NPN 2SD1624S, 3A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. FT: 150 MHz. Função: Comutação de alta corrente, tensão de baixa saturação. Ganho máximo de hFE: 280. Ganho mínimo de hFE: 140. Ic(pulso): 6A. Marcação na caixa: DG. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: serigrafia/código SMD DG. Tecnologia: Transistores de silício planares epitaxiais. Temperatura: +150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.35V. Tf(min): 35 ns. Tf(máx.): 35 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V. Produto original do fabricante: Sanyo. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 07:46

Documentação técnica (PDF)
2SD1624S
26 parâmetros
Corrente do coletor
3A
Carcaça
SOT-89 4-Pin ( 3+Tab )
Habitação (conforme ficha técnica)
SOT-89
Tensão do coletor/emissor Vceo
50V
FT
150 MHz
Função
Comutação de alta corrente, tensão de baixa saturação
Ganho máximo de hFE
280
Ganho mínimo de hFE
140
Ic(pulso)
6A
Marcação na caixa
DG
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
0.5W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
serigrafia/código SMD DG
Tecnologia
Transistores de silício planares epitaxiais
Temperatura
+150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
0.35V
Tf(min)
35 ns
Tf(máx.)
35 ns
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
60V
Vebo
6V
Produto original do fabricante
Sanyo