Transistor NPN 2SD1207, TO-92, 2A, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 50V

Transistor NPN 2SD1207, TO-92, 2A, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 50V

Quantidade
Preço unitário
1-4
0.82€
5-9
0.68€
10-24
0.59€
25-49
0.53€
50+
0.45€
Quantidade em estoque: 17

Transistor NPN 2SD1207, TO-92, 2A, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 50V. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor: 2A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: não. Custo): 12pF. Diodo CE: não. FT: 150 MHz. Função: -. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 200. Ic(pulso): 4A. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2SB892. Tecnologia: Transistor Darlington de Silício Planar Epitaxial. Tensão de saturação VCE(sat): 0.15V. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V. Produto original do fabricante: Sanyo. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 12:12

Documentação técnica (PDF)
2SD1207
24 parâmetros
Carcaça
TO-92
Corrente do coletor
2A
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-92MOD ( 2-5J1A )
Tensão do coletor/emissor Vceo
50V
BE diodo
não
Custo)
12pF
Diodo CE
não
FT
150 MHz
Ganho máximo de hFE
400
Ganho mínimo de hFE
200
Ic(pulso)
4A
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
1W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
transistor complementar (par) 2SB892
Tecnologia
Transistor Darlington de Silício Planar Epitaxial
Tensão de saturação VCE(sat)
0.15V
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
60V
Vebo
6V
Produto original do fabricante
Sanyo