Transistor NPN 2SC5696, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PMLH, 800V

Transistor NPN 2SC5696, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PMLH, 800V

Quantidade
Preço unitário
1-4
5.25€
5-9
4.78€
10-24
4.42€
25-49
4.13€
50+
3.75€
Equivalência disponível
Quantidade em estoque: 5

Transistor NPN 2SC5696, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PMLH, 800V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PMLH. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Diodo CE: sim. FT: kHz. Função: alta velocidade. Ganho máximo de hFE: 11. Ganho mínimo de hFE: 3. Ic(pulso): 36A. Marcação na caixa: C5696. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 85W. Quantidade por caixa: 1. Resistor BE: sim. RoHS: sim. Tecnologia: Transistor de silício planar triplo difuso. Temperatura: +150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Tf(máx.): 0.3us. Tipo de transistor: NPN. Transistor Darlington?: não. Vcbo: 1600V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: Sanyo. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 12:12

Documentação técnica (PDF)
2SC5696
27 parâmetros
Corrente do coletor
12A
Carcaça
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-3PMLH
Tensão do coletor/emissor Vceo
800V
Diodo CE
sim
FT
kHz
Função
alta velocidade
Ganho máximo de hFE
11
Ganho mínimo de hFE
3
Ic(pulso)
36A
Marcação na caixa
C5696
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
85W
Quantidade por caixa
1
Resistor BE
sim
RoHS
sim
Tecnologia
Transistor de silício planar triplo difuso
Temperatura
+150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
3V
Tf(máx.)
0.3us
Tipo de transistor
NPN
Transistor Darlington?
não
Vcbo
1600V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
Sanyo

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