Transistor NPN 2SC5198-TOS, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 140V

Transistor NPN 2SC5198-TOS, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 140V

Quantidade
Preço unitário
1-4
3.13€
5-9
2.84€
10-24
2.62€
25-49
2.43€
50+
2.21€
Quantidade em estoque: 75

Transistor NPN 2SC5198-TOS, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 140V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): 2-16C1B. Tensão do coletor/emissor Vceo: 140V. BE diodo: não. Custo): 170pF. Diodo CE: não. FT: 30 MHz. Função: Amplificador de potência HI-FI. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 80. Marcação na caixa: C5198 O. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1941. Tecnologia: Transistor Planar Triplo Difuso. Temperatura: +150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2V. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 140V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 12:12

Documentação técnica (PDF)
2SC5198-TOS
27 parâmetros
Corrente do coletor
10A
Carcaça
TO-3PN ( 2-16C1B )
Habitação (conforme ficha técnica)
2-16C1B
Tensão do coletor/emissor Vceo
140V
BE diodo
não
Custo)
170pF
Diodo CE
não
FT
30 MHz
Função
Amplificador de potência HI-FI
Ganho máximo de hFE
160
Ganho mínimo de hFE
80
Marcação na caixa
C5198 O
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
100W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
transistor complementar (par) 2SA1941
Tecnologia
Transistor Planar Triplo Difuso
Temperatura
+150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
0.3V
Tensão máxima de saturação VCE (sat)
2V
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
140V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
Toshiba