Transistor NPN 2SC5149, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V

Transistor NPN 2SC5149, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V

Quantidade
Preço unitário
1-4
2.01€
5-24
1.67€
25-49
1.41€
50+
1.27€
Quantidade em estoque: 826

Transistor NPN 2SC5149, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): 2-16E3A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. FT: 2 MHz. Função: operação rápida, para deflexão horizontal (TV). Ganho máximo de hFE: 25. Ganho mínimo de hFE: 8:1. Ic(pulso): 16A. Marcação na caixa: C5149. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Tipo MESA Tripla Difusão. Temperatura: +150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Tf(min): 0.2us. Tf(máx.): 0.5us. Tipo de transistor: NPN. Transistor Darlington?: não. Vcbo: 1500V. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 12:12

Documentação técnica (PDF)
2SC5149
24 parâmetros
Corrente do coletor
8A
Carcaça
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Habitação (conforme ficha técnica)
2-16E3A
Tensão do coletor/emissor Vceo
600V
FT
2 MHz
Função
operação rápida, para deflexão horizontal (TV)
Ganho máximo de hFE
25
Ganho mínimo de hFE
8:1
Ic(pulso)
16A
Marcação na caixa
C5149
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
50W
Quantidade por caixa
1
Spec info
Tipo MESA Tripla Difusão
Temperatura
+150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
5V
Tf(min)
0.2us
Tf(máx.)
0.5us
Tipo de transistor
NPN
Transistor Darlington?
não
Vcbo
1500V
Produto original do fabricante
Toshiba