Transistor NPN 2SC5129, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V

Transistor NPN 2SC5129, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V

Quantidade
Preço unitário
1-4
2.55€
5-24
2.21€
25-49
1.98€
50+
1.74€
Equivalência disponível
Quantidade em estoque: 106

Transistor NPN 2SC5129, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): 2-16E3A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Diodo CE: sim. FT: 1.7 MHz. Função: MONITOR HA,Hi-res. Ganho máximo de hFE: 30. Ganho mínimo de hFE: 10. Ic(pulso): 20A. Marcação na caixa: C5129. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: tempo de queda 0,15..03us (64kHz). Tecnologia: Tipo MESA Tripla Difusão. Temperatura: +150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Tf(min): 0.15us. Tf(máx.): 0.3us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 12:12

Documentação técnica (PDF)
2SC5129
27 parâmetros
Corrente do coletor
10A
Carcaça
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Habitação (conforme ficha técnica)
2-16E3A
Tensão do coletor/emissor Vceo
600V
Diodo CE
sim
FT
1.7 MHz
Função
MONITOR HA,Hi-res
Ganho máximo de hFE
30
Ganho mínimo de hFE
10
Ic(pulso)
20A
Marcação na caixa
C5129
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
50W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
tempo de queda 0,15..03us (64kHz)
Tecnologia
Tipo MESA Tripla Difusão
Temperatura
+150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
3V
Tf(min)
0.15us
Tf(máx.)
0.3us
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
1500V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
Toshiba

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