Transistor NPN 2SC3303, 5A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V

Transistor NPN 2SC3303, 5A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V

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Transistor NPN 2SC3303, 5A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. FT: 120 MHz. Função: Comutação de alta velocidade. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 70. Ic(pulso): 8A. Marcação na caixa: C3303. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Quantidade por caixa: 1. Tecnologia: Tipo Epitaxial (Processo PCT). Temperatura: +150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tf(min): 0.1us. Tf(máx.): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Vebo: 7V. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 05:13

Documentação técnica (PDF)
2SC3303
24 parâmetros
Corrente do coletor
5A
Carcaça
TO-251 ( I-Pak )
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-251AA ( I-PAK )
Tensão do coletor/emissor Vceo
80V
FT
120 MHz
Função
Comutação de alta velocidade
Ganho máximo de hFE
240
Ganho mínimo de hFE
70
Ic(pulso)
8A
Marcação na caixa
C3303
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
2
Pd (dissipação de energia, máx.)
20W
Quantidade por caixa
1
Tecnologia
Tipo Epitaxial (Processo PCT)
Temperatura
+150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
0.2V
Tf(min)
0.1us
Tf(máx.)
0.1us
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
100V
Vebo
7V
Produto original do fabricante
Toshiba