Transistor NPN 2SC2713-GR, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 120V

Transistor NPN 2SC2713-GR, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 120V

Quantidade
Preço unitário
1-4
3.55€
5-19
3.16€
20-39
2.92€
40-59
2.67€
60+
2.01€
Quantidade em estoque: 285

Transistor NPN 2SC2713-GR, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 120V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. BE diodo: não. Diodo CE: não. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 700. Ganho mínimo de hFE: 200. Marcação na caixa: DG. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Nota: serigrafia/código SMD DG. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 150mW. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1163. Tensão de saturação VCE(sat): 300mV. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 05:13

2SC2713-GR
21 parâmetros
Corrente do coletor
0.1A
Carcaça
SOT-23 ( TO-236 )
Habitação (conforme ficha técnica)
SOT-23 ( TO236 )
Tensão do coletor/emissor Vceo
120V
BE diodo
não
Diodo CE
não
FT
100 MHz
Ganho máximo de hFE
700
Ganho mínimo de hFE
200
Marcação na caixa
DG
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Nota
serigrafia/código SMD DG
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
150mW
Quantidade por caixa
1
Spec info
transistor complementar (par) 2SA1163
Tensão de saturação VCE(sat)
300mV
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
120V
Produto original do fabricante
Toshiba