Transistor NPN 2SC2240GR, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V

Transistor NPN 2SC2240GR, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V

Quantidade
Preço unitário
1-4
0.75€
5-49
0.65€
50-99
0.58€
100-199
0.52€
200+
0.45€
Quantidade em estoque: 78

Transistor NPN 2SC2240GR, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. BE diodo: não. Custo): 3pF. Diodo CE: não. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 200. Marcação na caixa: C224GR. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2SA970GR. Tecnologia: Tipo Epitaxial (Processo PCT). Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tipo de transistor: NPN. Transistor Darlington?: não. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 05:13

Documentação técnica (PDF)
2SC2240GR
26 parâmetros
Corrente do coletor
0.1A
Carcaça
TO-92
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-92
Tensão do coletor/emissor Vceo
120V
BE diodo
não
Custo)
3pF
Diodo CE
não
FT
100 MHz
Ganho máximo de hFE
400
Ganho mínimo de hFE
200
Marcação na caixa
C224GR
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
0.3W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
transistor complementar (par) 2SA970GR
Tecnologia
Tipo Epitaxial (Processo PCT)
Temperatura operacional
-55...+125°C
Tensão de saturação VCE(sat)
0.3V
Tipo de transistor
NPN
Transistor Darlington?
não
Vcbo
120V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
Toshiba