Transistor NPN 2SB709, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), MINI MOLD, 25V

Transistor NPN 2SB709, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), MINI MOLD, 25V

Quantidade
Preço unitário
1-4
0.75€
5-24
0.64€
25-49
0.57€
50-99
0.52€
100+
0.44€
Quantidade em estoque: 18

Transistor NPN 2SB709, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), MINI MOLD, 25V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): MINI MOLD. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. BE diodo: não. Custo): 2.7pF. Diodo CE: não. FT: 80 MHz. Ganho máximo de hFE: 460. Ganho mínimo de hFE: 160. Ic(pulso): 0.2A. Marcação na caixa: AQ. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Quantidade por caixa: 1. RoHS: não. Spec info: transistor complementar (par) 2SD601. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 25V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: Matsushita. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 03:51

Documentação técnica (PDF)
2SB709
23 parâmetros
Corrente do coletor
0.1A
Carcaça
SOT-23 ( TO-236 )
Habitação (conforme ficha técnica)
MINI MOLD
Tensão do coletor/emissor Vceo
25V
BE diodo
não
Custo)
2.7pF
Diodo CE
não
FT
80 MHz
Ganho máximo de hFE
460
Ganho mínimo de hFE
160
Ic(pulso)
0.2A
Marcação na caixa
AQ
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Quantidade por caixa
1
RoHS
não
Spec info
transistor complementar (par) 2SD601
Tensão de saturação VCE(sat)
0.3V
Tensão máxima de saturação VCE (sat)
0.5V
Tipo de transistor
PNP
Vcbo
25V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
Matsushita