Transistor NPN 2SB688, TO-3PN ( 2-16C1B ), 8A, TO-3PN, 120V

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1-4

2.39€

5-9

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Transistor NPN 2SB688, TO-3PN ( 2-16C1B ), 8A, TO-3PN, 120V. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Corrente do coletor: 8A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Corrente do coletor Ic [A]: 8A, 12A. FT: 10 MHz. Frequência: 10MHz, 15MHz. Ganhe hfe: 20...200. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 55. Marcação na caixa: B668. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Polaridade: bipolar. Potência: 100W. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2SD718. Temperatura: +150°C. Tensão (colecionador - emissor): 120V, 140V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: Korea Electronics Semi. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 03:51

Documentação técnica (PDF)

2SB688

26 parâmetros

Carcaça

TO-3PN ( 2-16C1B )

Corrente do coletor

Habitação (conforme ficha técnica)

TO-3PN

Tensão do coletor/emissor Vceo

120V

Corrente do coletor Ic [A]

8A, 12A

10 MHz

Frequência

10MHz, 15MHz

Ganhe hfe

20...200

Ganho máximo de hFE

160

Ganho mínimo de hFE

Marcação na caixa

B668

Material semicondutor

silício

Montagem/instalação

montagem através de furo PCB

Número de terminais

Pd (dissipação de energia, máx.)

80W

Polaridade

bipolar

Potência

100W

Quantidade por caixa

Spec info

transistor complementar (par) 2SD718

Temperatura

+150°C

Tensão (colecionador - emissor)

120V, 140V

Tensão de saturação VCE(sat)

2.5V

Tipo de transistor

PNP

Vcbo

120V

Vebo

Produto original do fabricante

Korea Electronics Semi.