Transistor NPN 2SB649A, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 160V

Transistor NPN 2SB649A, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 160V

Quantidade
Preço unitário
1-4
1.46€
5-24
1.24€
25-49
1.07€
50-99
0.94€
100+
0.72€
Quantidade em estoque: 84

Transistor NPN 2SB649A, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 160V. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. BE diodo: não. Custo): 27pF. Diodo CE: não. FT: 140 MHz. Ganho máximo de hFE: 200. Ganho mínimo de hFE: 100. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2SD669A. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 180V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: Unisonic Technologies Co. Ltd. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 03:51

Documentação técnica (PDF)
2SB649A
22 parâmetros
Corrente do coletor
1.5A
Carcaça
TO-126 (TO-225, SOT-32)
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-126
Tensão do coletor/emissor Vceo
160V
BE diodo
não
Custo)
27pF
Diodo CE
não
FT
140 MHz
Ganho máximo de hFE
200
Ganho mínimo de hFE
100
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
1W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
transistor complementar (par) 2SD669A
Tensão máxima de saturação VCE (sat)
1V
Tipo de transistor
PNP
Vcbo
180V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
Unisonic Technologies Co