Transistor NPN 2SA1941-TOS, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1A, 140V

Transistor NPN 2SA1941-TOS, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1A, 140V

Quantidade
Preço unitário
1-4
2.71€
5-24
2.35€
25-49
2.00€
50+
1.84€
Equivalência disponível
Quantidade em estoque: 144

Transistor NPN 2SA1941-TOS, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1A, 140V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): 2-16C1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 140V. BE diodo: não. Custo): 320pF. Diodo CE: não. FT: 30 MHz. Função: Amplificador de potência HI-FI. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 80. Marcação na caixa: A1941. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2SC5198. Temperatura operacional: -...+150°C. Temperatura: +150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.8V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 140V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 07:35

Documentação técnica (PDF)
2SA1941-TOS
26 parâmetros
Corrente do coletor
10A
Carcaça
TO-3PN ( 2-16C1B )
Habitação (conforme ficha técnica)
2-16C1A
Tensão do coletor/emissor Vceo
140V
BE diodo
não
Custo)
320pF
Diodo CE
não
FT
30 MHz
Função
Amplificador de potência HI-FI
Ganho máximo de hFE
160
Ganho mínimo de hFE
80
Marcação na caixa
A1941
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
100W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
transistor complementar (par) 2SC5198
Temperatura operacional
-...+150°C
Temperatura
+150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
0.8V
Tipo de transistor
PNP
Vcbo
140V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
Toshiba

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