Transistor NPN 2SA1370, 100mA, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 200V

Transistor NPN 2SA1370, 100mA, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 200V

Quantidade
Preço unitário
1-4
2.21€
5-24
1.97€
25-49
1.82€
50-99
1.67€
100+
1.40€
Quantidade em estoque: 17

Transistor NPN 2SA1370, 100mA, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 200V. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. BE diodo: não. C (pol.): 1.7pF. Custo): 2.6pF. Diodo CE: não. FT: 150 MHz. Função: vídeo. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 40. Ic(pulso): 200mA. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Quantidade por caixa: 1. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial. Temperatura: +150°C. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.6V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 200V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: Sanyo. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 01:37

Documentação técnica (PDF)
2SA1370
25 parâmetros
Corrente do coletor
100mA
Carcaça
TO-92
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-92M ( 9mm )
Tensão do coletor/emissor Vceo
200V
BE diodo
não
C (pol.)
1.7pF
Custo)
2.6pF
Diodo CE
não
FT
150 MHz
Função
vídeo
Ganho máximo de hFE
320
Ganho mínimo de hFE
40
Ic(pulso)
200mA
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
1W
Quantidade por caixa
1
Tecnologia
Transistor Planar Epitaxial
Temperatura
+150°C
Tensão máxima de saturação VCE (sat)
0.6V
Tipo de transistor
PNP
Vcbo
200V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
Sanyo