Transistor NPN 2SA1360, 0.05A, TO-126 (TO-225, SOT-32), 2-8H1A, 150V

Transistor NPN 2SA1360, 0.05A, TO-126 (TO-225, SOT-32), 2-8H1A, 150V

Quantidade
Preço unitário
1-4
1.39€
5-9
1.13€
10-24
0.96€
25-49
0.87€
50+
0.73€
Equivalência disponível
Quantidade em estoque: 52

Transistor NPN 2SA1360, 0.05A, TO-126 (TO-225, SOT-32), 2-8H1A, 150V. Corrente do coletor: 0.05A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): 2-8H1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. BE diodo: não. Custo): 2.5pF. Diodo CE: não. FT: 200 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 80. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Pd (dissipação de energia, máx.): 5W. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2SC3423. Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 150V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 01:37

Documentação técnica (PDF)
2SA1360
22 parâmetros
Corrente do coletor
0.05A
Carcaça
TO-126 (TO-225, SOT-32)
Habitação (conforme ficha técnica)
2-8H1A
Tensão do coletor/emissor Vceo
150V
BE diodo
não
Custo)
2.5pF
Diodo CE
não
FT
200 MHz
Função
NF-L
Ganho máximo de hFE
240
Ganho mínimo de hFE
80
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Pd (dissipação de energia, máx.)
5W
Quantidade por caixa
1
Spec info
transistor complementar (par) 2SC3423
Temperatura operacional
-...+150°C
Tensão máxima de saturação VCE (sat)
1V
Tipo de transistor
PNP
Vcbo
150V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
Toshiba

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