Transistor NPN 2SA1358Y, 1A, TO-126F, TO-126F (2-8A1H), 120V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126F (2-8A1H). Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. BE diodo: não. Custo): 30pF. Diodo CE: não. FT: 120 MHz. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 120. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2SC3421Y. Tecnologia: Tipo Epitaxial (Processo PCT). Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 01:37