Transistor NPN 2SA1213Y, 2A, SOT-89, 2-5K1A, 50V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: SOT-89. Habitação (conforme ficha técnica): 2-5K1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: não. Custo): 40pF. Diodo CE: não. FT: 120 MHz. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 120. Marcação na caixa: NY. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Quantidade por caixa: 1. Spec info: serigrafia / código SMD NY. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 01:37