Transistor NPN 2SA1015Y, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V

Transistor NPN 2SA1015Y, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V

Quantidade
Preço unitário
10-49
0.0953€
50-99
0.0818€
100-199
0.0719€
200+
0.0577€
Quantidade em estoque: 8959
Mín.: 10

Transistor NPN 2SA1015Y, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente do coletor: 0.15A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: não. Custo): 4pF. Diodo CE: não. FT: 80 MHz. Função: hFE.120-240. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 120. Marcação na caixa: 1015 Y. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.4W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2SC1815Y. Tecnologia: Tipo Epitaxial (Processo PCT). Temperatura operacional: -...+125°C. Temperatura: +125°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.1V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 01:37

Documentação técnica (PDF)
2SA1015Y
28 parâmetros
Corrente do coletor
0.15A
Carcaça
TO-92
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-92
Tensão do coletor/emissor Vceo
50V
BE diodo
não
Custo)
4pF
Diodo CE
não
FT
80 MHz
Função
hFE.120-240
Ganho máximo de hFE
240
Ganho mínimo de hFE
120
Marcação na caixa
1015 Y
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
0.4W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
transistor complementar (par) 2SC1815Y
Tecnologia
Tipo Epitaxial (Processo PCT)
Temperatura operacional
-...+125°C
Temperatura
+125°C
Tensão de saturação VCE(sat)
0.1V
Tipo de transistor
PNP
Vcbo
50V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
Toshiba
Quantidade mínima
10