Transistor NPN 2SA1015GR, 0.15A, TO-92, TO-92, 2-5F1B, 50V

Transistor NPN 2SA1015GR, 0.15A, TO-92, TO-92, 2-5F1B, 50V

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Transistor NPN 2SA1015GR, 0.15A, TO-92, TO-92, 2-5F1B, 50V. Corrente do coletor: 0.15A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92, 2-5F1B. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: não. Custo): 4pF. Diodo CE: não. FT: 80 MHz. Função: amplificador de áudio. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 200. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.4W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2SC1162. Tecnologia: Tipo Epitaxial (Processo PCT). Temperatura operacional: -...+125°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.1V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.3V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 01:37

Documentação técnica (PDF)
2SA1015GR
26 parâmetros
Corrente do coletor
0.15A
Carcaça
TO-92
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-92, 2-5F1B
Tensão do coletor/emissor Vceo
50V
BE diodo
não
Custo)
4pF
Diodo CE
não
FT
80 MHz
Função
amplificador de áudio
Ganho máximo de hFE
400
Ganho mínimo de hFE
200
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
0.4W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
transistor complementar (par) 2SC1162
Tecnologia
Tipo Epitaxial (Processo PCT)
Temperatura operacional
-...+125°C
Tensão de saturação VCE(sat)
0.1V
Tensão máxima de saturação VCE (sat)
0.3V
Tipo de transistor
PNP
Vcbo
50V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
Toshiba