Transistor NPN 2N6520, -350V, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V

Transistor NPN 2N6520, -350V, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V

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Transistor NPN 2N6520, -350V, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V. Tensão coletor-emissor VCEO: -350V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 350V. BE diodo: não. C (pol.): 100pF. Custo): 6pF. Diodo CE: não. FT: 200 MHz. Frequência máxima: 40MHz. Função: -. Ganho máximo de hFE: 200. Ganho mínimo de hFE: 15. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Polaridade: PNP. Potência: 0.63W. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2N6517. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 350V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: Cdil. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 01:37

Documentação técnica (PDF)
2N6520
27 parâmetros
Tensão coletor-emissor VCEO
-350V
Corrente do coletor
0.5A
Carcaça
TO-92
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-92
Tensão do coletor/emissor Vceo
350V
BE diodo
não
C (pol.)
100pF
Custo)
6pF
Diodo CE
não
FT
200 MHz
Frequência máxima
40MHz
Ganho máximo de hFE
200
Ganho mínimo de hFE
15
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Pd (dissipação de energia, máx.)
0.625W
Polaridade
PNP
Potência
0.63W
Quantidade por caixa
1
Spec info
transistor complementar (par) 2N6517
Tensão de saturação VCE(sat)
0.3V
Tensão máxima de saturação VCE (sat)
1V
Tipo de transistor
PNP
Vcbo
350V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
Cdil
Quantidade mínima
10

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