Transistor NPN 2N6517, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V

Transistor NPN 2N6517, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V

Quantidade
Preço unitário
1-4
0.23€
5-49
0.19€
50-99
0.17€
100-199
0.15€
200+
0.13€
Quantidade em estoque: 345

Transistor NPN 2N6517, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 350V. BE diodo: não. Custo): 6pF. Diodo CE: não. FT: 40MHz (min), 200MHz (max). Função: -. Ganho máximo de hFE: 200. Ganho mínimo de hFE: 20. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2N6520. Tecnologia: Transistor de silício epitaxial NPN. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 350V. Vebo: 6V. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 01:37

Documentação técnica (PDF)
2N6517
22 parâmetros
Corrente do coletor
0.5A
Carcaça
TO-92
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-92
Tensão do coletor/emissor Vceo
350V
BE diodo
não
Custo)
6pF
Diodo CE
não
FT
40MHz (min), 200MHz (max)
Ganho máximo de hFE
200
Ganho mínimo de hFE
20
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Pd (dissipação de energia, máx.)
0.625W
Quantidade por caixa
1
Spec info
transistor complementar (par) 2N6520
Tecnologia
Transistor de silício epitaxial NPN
Tensão de saturação VCE(sat)
0.3V
Tensão máxima de saturação VCE (sat)
1V
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
350V
Vebo
6V
Produto original do fabricante
Fairchild