Transistor NPN 2N5886, 25A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 80V

Transistor NPN 2N5886, 25A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 80V

Quantidade
Preço unitário
1-4
8.28€
5-24
7.41€
25-49
6.81€
50-99
6.35€
100+
5.65€
Quantidade em estoque: 145

Transistor NPN 2N5886, 25A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 80V. Corrente do coletor: 25A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. BE diodo: não. Custo): 500pF. Diodo CE: não. FT: 4 MHz. Ganho máximo de hFE: 100. Ganho mínimo de hFE: 20. Ic(pulso): 50A. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2N5884. Temperatura operacional: -65...+200°C. Temperatura: +200°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tf(min): 0.8us. Tf(máx.): 0.8us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 01:37

Documentação técnica (PDF)
2N5886
27 parâmetros
Corrente do coletor
25A
Carcaça
TO-3 ( TO-204 )
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-3
Tensão do coletor/emissor Vceo
80V
BE diodo
não
Custo)
500pF
Diodo CE
não
FT
4 MHz
Ganho máximo de hFE
100
Ganho mínimo de hFE
20
Ic(pulso)
50A
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
2
Pd (dissipação de energia, máx.)
200W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
transistor complementar (par) 2N5884
Temperatura operacional
-65...+200°C
Temperatura
+200°C
Tensão de saturação VCE(sat)
1V
Tf(min)
0.8us
Tf(máx.)
0.8us
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
80V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
ON Semiconductor