Transistor NPN 2N5551, TO-92, 600mA, 0.6A, TO-92, 160V

Transistor NPN 2N5551, TO-92, 600mA, 0.6A, TO-92, 160V

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50-99
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Transistor NPN 2N5551, TO-92, 600mA, 0.6A, TO-92, 160V. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 600mA. Corrente do coletor: 0.6A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. BE diodo: não. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Condicionamento: Ammo Pack. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente do coletor Ic [A]: 600mA. Custo): 6pF. Diodo CE: não. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Embalagem: Ammo Pack. FT: 100 MHz. Família de componentes: transistor NPN. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Frequência: 100MHz. Função: Amplificador de VÍDEO.. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 80. Marcação do fabricante: 2N5551. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Polaridade: bipolar. Potência: 0.625W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão (colecionador - emissor): 160V. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 160V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.15V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.2V. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 180V. Vebo: 6V. Produto original do fabricante: Diotec Semiconductor. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 01:37

Documentação técnica (PDF)
2N5551
42 parâmetros
Carcaça
TO-92
Corrente do coletor Ic [A], máx.
600mA
Corrente do coletor
0.6A
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-92
Tensão do coletor/emissor Vceo
160V
BE diodo
não
Carcaça (padrão JEDEC)
TO-226AA
Condicionamento
Ammo Pack
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente do coletor Ic [A]
600mA
Custo)
6pF
Diodo CE
não
Dissipação máxima Ptot [W]
0.625W
Embalagem
Ammo Pack
FT
100 MHz
Família de componentes
transistor NPN
Frequência de corte ft [MHz]
100 MHz
Frequência
100MHz
Função
Amplificador de VÍDEO.
Ganho máximo de hFE
250
Ganho mínimo de hFE
80
Marcação do fabricante
2N5551
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
0.625W
Polaridade
bipolar
Potência
0.625W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Temperatura máxima
+150°C.
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão (colecionador - emissor)
160V
Tensão coletor-emissor Uceo [V]
160V
Tensão de saturação VCE(sat)
0.15V
Tensão máxima de saturação VCE (sat)
0.2V
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
180V
Vebo
6V
Produto original do fabricante
Diotec Semiconductor
Quantidade mínima
10

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